Lekcija 2.18. - Sekundarne memorije: poluvodičke
Flash memorije
Flash memorija je vrsta poluvodičke tehnologije koja se koristi kod izbrisive ROM memorije. Zbog toga ju često nazivaju EEPROM memorijom čija kratica stoji za „Elelectrically Erasable Programmable Read-Only Memory”.
Flash memorija je neizbrisiva (pripada skupini postojanih memorija), što znači da prilikom gubitka napona pamti podatke. Iako je flash memorija tehnički tip EEPROMa, pojam “EEPROM” se generalno koristi za referenciranje na ne-flash EEPROM koji je izbrisiv i u malim blokovima, tipično bajtovima. Pošto su izbrisivi krugovi spori, veliki blokovi daju značajnu prednost u brzini, kad se upisuje velika količina podataka. Od 2013. flash memorija je puno jeftinija od bajt-programibilnog EEPROMa i postala je dominantni tip memorije kad god sustav zahtijeva značajne količine pohrane.
Flash memorija je tiha, ona ne sadrži rotirajući dijelove poput hard diska. Izuzev tihog rada, još jedna velika prednost flash memorije je otpornost na vibracije i/ili lakše iznenadne padove. To uvelike pridonosi njezinoj rasprostranjenosti i lakom prijenosu. Čak i u „teškim“ uvjetima rada, flash memorija je izvrstan odabir. Upravo zbog jednostavnosti izrade flash memorije, te nesadržavanja rotirajućih dijelova flash memorija je mnogo brže spremna za uporabu. Sjetimo se da hard disk najprije mora „zavrtiti“ svoj disk prije nego bude spreman očitati podatke sa njega ili zapisati bilo kakav podatak. Flash memorija se zasniva na tehnologiji tranzistorskih ćelija, točnije MOSFET tehnologiji.
Flash memorijski uređaji nisu beskonačnog vijeka. Njihov vijek je manji od vijeka magnetskih memorija. One mogu biti flashane od 10.000 do 1.000.000 puta. Zbog čega je to tako? One se sastoje od slojeva titanijevog oksida koji se s brojem zapisivanja i brisanja podataka potroši. No to nije toliko zabrinjavajuće, jer brojke mnogo puta nisu pretjerano pouzdane, a u ovom slučaju idu u korist flash memoriji. U testu izdržljivosti flash memorije dokazano je da jedna suvremena NAND flash memorija može doseći čak i do 6 milijuna flashanja dok se njeni slojevi oksida ne potroše.
Moramo razlikovati dvije vrste izvedbe flash memorija: NOR i NAND.
NOR memorija je starija od NAND memorije. Glavne razlike tih memorija očituju se u načinu adresiranja i spremanja podataka. NOR čipovi bili su samo početak dugotrajnog razvitka flash memorije. Nakon njih razvila se sasvim nova tehnologija mnogo jeftinije NAND flash memorije.
NAND flash memorija proizašla je iz suradnje Samsunga i Toshibe, 1989. godine te pokazala puno praktičnijom i boljom. Veće gustoće i brzine u potpunosti je zamjenila NOR čipove. Flash memorija nikada nije zamjenila RAM memoriju, nego je oduvijek korištena kao memorija za trajnu pohranu podataka.